3d和值和尾走势图带连线|福彩三地八卦图表

IGBT器件“一条龙”应用计划

2019-01-04 17:26:45 Westpac Electronics

IGBT器件“一条龙”应用计划申报要求

 

一、产业链构成

 瞄准智能电网、轨道交通和新能源汽车行业等终端用户,以产业链上下游供能力为基础,应用为导向,针对关键环节重点基础产品、工艺,推动相关重点项目建设和技术突破,形成上下游产业对接的“一条龙”应用示范链条,解决我国能源交换与传输技术的瓶颈。同时,按照以我为主、兼收并蓄原则,?#24179;?/span>产学研用国际化协同创新,深化产业链协作。

关键产链条环节

序号

产业链环节

新能源汽车用IGBT

智能电网用IGBT

轨道交通用IGBT

1

上游材料


2

IGBT设计、芯片制造、模块生产及IDM

3

生产设备制造

4

下游应用的配套器件



二、目标和任务

(一)上游材料

1.电力电子器件及功率模块(大功率IGBT)封装用DBC基板─高纯无氧铜箔。

1环节描述及任务。开发出符合使用要求的DBC用高纯无氧铜箔产品,支撑我国功率集成电路与大功率器件产业发展。

2)具体目标。电力电子器件及功率模块(大功率IGBT)封装用DBC基板高纯无氧铜箔。化学成分:全元素分析(GDMS法)杂质元素(不含气体元素)≤10ppmO含量≤5ppm;显微组织:平均晶粒尺寸≤70μm960℃10分钟退火平均晶粒尺寸≤100μm;抗拉强度:330370MPa;硬度HV1105120;导电率(%IACS):101;铜箔厚度:0.10.7mm;铜箔表面粗糙度:≤0.4μm

2.电力电子器件用平板全压接陶瓷结构件。

1环节描述及任务。实现平板全压接多台架精密陶瓷结构件产业化生产能力,满足用于柔性高压直流输电、轨道交通IGBT的需求。

2)具体目标。平板全压接多台架精密陶瓷结构件:?#26412;?/span>≥125mm,耐压≥12kV,绝缘电阻≥15MΩ,平整度≤0.005mm,平行度≤0.03mm,粗糙度Ra≤0.5μm,漏率≤1×10-9Pam3/s,抗拉力≥12kN

(二)IGBT设计、芯片制造、模块生产及IDM

1.智能电网基础支撑技术用柔性高压直流输电高电压、大电流IGBT器件

1环节描述及任务。实现压?#26377;?#23450;制化超大功率IGBT关键技术,并完成验证工作。具体包括:不同类型柔性直流输电装备与压?#26377;?#23450;制化超大功率IGBT联合仿真与协同优化设计技术;超大功率IGBT封装并联均流控制及多物理场分析,高电压串联用驱动保护与封装一体化及电磁兼容技术,压?#26377;?#23553;装绝缘体系;压?#26377;?#23450;制化超大功率IGBT测试技术和可靠性技术;压?#26377;?#23450;制化超大功率IGBT在直流?#19979;?#22120;和柔性直流换流阀中应用验证。

2)具体目标。压?#26377;?#23450;制化IGBT器件参数不低于3300V/3000A,低通态压降IGBT的通态压?#26723;?#20110;2.8V,高关断能力IGBT的短路电流大于18000A15kV碳化硅IGBT芯片电流不低于10A、器件电流不低于100A

2.轨道交通用高压大容量IGBT

1环节描述及任务。IGBT器件作为轨道交通装备的“核芯?#20445;?#34987;誉为轨道交通装备的“CPU?#34180;?/span>IGBT作为电力电子技术的核心器件,其对变流装置及应用系?#36710;?#20135;业拉动作用为1:10:100。以城市轨道交通应用为源头,实现3.3kV6.5kV高频高压混合SiC IGBTSiC MOSFET器件、驱动和变流装置的技术突破,推动轨道交通装备高频化、轻量化方向发展。

2)具体目标。3300V/50A SiC MOSFET器件及3300V/1500A SiC MOSFET功率模块;6500V/35A SiC IGBT类器件及6500V/400A SiC IGBT类功率模块;10kV/20A SiC IGBT类芯片。

3.新能源汽车用IGBT

1环节描述及任务。提高IGBTFRD芯片和器件性能,满足电动汽车工作条件的严酷性和复?#26377;?#21151;能要求,?#26723;?#25104;本,实现在电动汽车领域的规模应用。

2)具体目标。电动汽车用IGBT模块,集成热管理功能,电压等级600800V,额定电流800A,导通压降≤1.55V。电动汽车用IGBT组件,集成热管理、驱动电路与传感器,电压等级600800V,额定电流800A,导通压降≤1.55V

(三)IGBT生产设备制造

1环节描述及任务。实现12英寸封装关键设备国产化。

2)具体目标。减薄机,300mm 超薄晶圆减薄抛光一体机。光刻机,可满足200 mm 300 mm 硅片封装工艺要求。

(?#27169;?/span>下游应用的配套器件

1环节描述及任务。开发高效率、高功率密度的功率半导体器件,低感、低热阻无源器件,高集成度的功?#39318;?#20214;和高功率密度电机控制器。

2)具体目标。电机控制器峰值功率密度17kW/L,最高效率≥98.5%,匹配电机额定功率20-60kW,功能安全满足ISO26262标准ASCIL C级的要求,设计寿命达到15年或40万公里。


0755-88267606 00852-2763 5991 021-5489 1460
3d和值和尾走势图带连线 3d历史开奖号码查询 快彩乐老11选5 彩票平台注册开户 福利彩票喜乐彩 亲朋棋牌大厅登录 官网 重庆百变王牌技巧 星空棋牌休闲中心 体彩幸运赛车走势图 福建体彩36选7走势图 甘肃十一选五走势图手机版